Imprimir página
SI2305CDS-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 8 V, 5.8 A, 0.028 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSI2305CDS-T1-GE3
Código Farnell3879328
Hoja de datos técnicos
9000 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 75,000 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 3000+ | 0,110 € |
| 9000+ | 0,0996 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiplo: 3000
330,00 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSI2305CDS-T1-GE3
Código Farnell3879328
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)8V
Corriente de Drenaje Continua Id5.8A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.028ohm
Encapsulado del TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)4.5V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente400mV
Disipación de Potencia1.7W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
5.8A
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Tensión de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
1.7W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
8V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.028ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
400mV
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000008
Trazabilidad del producto