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SI2305CDS-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 8 V, 5.8 A, 0.028 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSI2305CDS-T1-GE3
Código Farnell1779258
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,447 € |
| 10+ | 0,250 € |
| 100+ | 0,164 € |
| 500+ | 0,149 € |
| 1000+ | 0,134 € |
| 5000+ | 0,104 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSI2305CDS-T1-GE3
Código Farnell1779258
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)8V
Corriente de Drenaje Continua Id5.8A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.028ohm
Encapsulado del TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)4.5V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1V
Disipación de Potencia1.7W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Resumen del producto
The SI2305CDS-T1-GE3 is a 8VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch and DC-to-DC converter applications.
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
- Halogen-free
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
5.8A
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Tensión de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
1.7W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
8V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.028ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para SI2305CDS-T1-GE3
Se ha encontrado 1 producto
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000008
Trazabilidad del producto