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RFD14N05SM9A
MOSFET de Potencia, Canal N, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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| 100+ | 0,514 € |
| 500+ | 0,433 € |
| 1000+ | 0,355 € |
| 5000+ | 0,320 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteRFD14N05SM9A
Código Farnell2454076
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)50V
Corriente de Drenaje Continua Id14A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.1ohm
Encapsulado del TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia48W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The RFD14N05SM9A is a N-channel Power MOSFET manufactured using the MegaFET process. This process, which uses feature sizes approaching those of LSI integrated circuits, gives optimum utilization of silicon, resulting in outstanding performance. It is designed for use in applications such as switching regulators, switching converters and relay drivers. These transistors can be operated directly from integrated circuits. Formerly developmental type TA09770.
- Temperature compensating PSPICE® model
- Peak current vs. pulse width curve
- UIS Rating curve
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
14A
Encapsulado del Transistor
TO-252AA
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
48W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
50V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.1ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para RFD14N05SM9A
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000556
Trazabilidad del producto