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IXTA1N200P3HV.
MOSFET, N-CH, 2KV, 1A, TO-263HV
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FabricanteLITTELFUSE
Referencia del fabricanteIXTA1N200P3HV.
Código Farnell3771253
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 10,150 € |
| 25+ | 7,640 € |
| 100+ | 5,210 € |
| 250+ | 4,990 € |
| 500+ | 4,800 € |
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Información del producto
FabricanteLITTELFUSE
Referencia del fabricanteIXTA1N200P3HV.
Código Farnell3771253
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Tensión Drenador-Fuente (Vds)2kV
Corriente de Drenaje Continua Id1A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor40ohm
Encapsulado del TransistorTO-263HV
Montaje de TransistorSurface Mount
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia125W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Corriente de Drenaje Continua Id
1A
Encapsulado del Transistor
TO-263HV
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
125W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
2kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
40ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:South Korea
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00205