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DMG1012UW
MOSFET de Potencia, Modo de Enriquecimiento, Canal N, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,257 € |
| 10+ | 0,134 € |
| 100+ | 0,0667 € |
| 500+ | 0,0588 € |
| 1000+ | 0,0561 € |
| 5000+ | 0,0385 € |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteDMG1012UW
Código Farnell2061403
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)20V
Corriente de Drenaje Continua Id1A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.3ohm
Encapsulado del TransistorSOT-323
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)4.5V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente500mV
Disipación de Potencia290mW
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El DMG1012UW es un MOSFET de modo mejorado de canal N con encapsulado de plástico moldeado y marco de 42 terminales de aleación soldable recocida con estañado mate en conformidad con el estándar MIL-STD-202.
- Baja resistencia en estado conductor (ON)
- Baja tensión umbral de puerta
- Baja capacitancia de entrada
- Velocidad de conmutación rápida
- Baja fuga de entrada/salida
- Protección ESD hasta 2KV
- Dispositivo ecológico sin halógenos
- Certificado según los estándares AEC-Q101 para alta fiabilidad
- Sensibilidad a humedad de nivel 1 según J-STD-020
- Grado de inflamabilidad UL94V-0
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha causado una extensión de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden fluctuar. Producto exento de descuentos.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
1A
Encapsulado del Transistor
SOT-323
Tensión de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
290mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
20V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.3ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
500mV
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (1)
Alternativas para DMG1012UW
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000454