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DMG1012UW
MOSFET de Potencia, Modo Mejorado, Canal N, 20 V, 1 A, 0.3 ohm, SOT-323, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 3000+ | 0,0459 € |
| 9000+ | 0,0393 € |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteDMG1012UW
Código Farnell4318443
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)20V
Corriente de Drenaje Continua Id1A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.3ohm
Encapsulado del TransistorSOT-323
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)4.5V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente500mV
Disipación de Potencia290mW
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
1A
Encapsulado del Transistor
SOT-323
Tensión de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
290mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
20V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.3ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
500mV
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000454
Trazabilidad del producto