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BSS84-7-F
MOSFET de Potencia, Canal P, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
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| 9000+ | 0,0257 € |
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteBSS84-7-F
Código Farnell4318414
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)50V
Corriente de Drenaje Continua Id130mA
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor10ohm
Encapsulado del TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)5V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente800mV
Disipación de Potencia300mW
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
130mA
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Tensión de Prueba Rds(on)
5V
Disipación de Potencia
300mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
50V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
10ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
800mV
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para BSS84-7-F
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000008
Trazabilidad del producto