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BSS84-7-F
MOSFET de Potencia, Canal P, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteDIODES INC.
Referencia del fabricanteBSS84-7-F
Código Farnell1843716
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)50V
Corriente de Drenaje Continua Id130mA
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor10ohm
Encapsulado del TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)5V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente800mV
Disipación de Potencia300mW
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El BSS84-7-F es un MOSFET de canal P con modo de mejora, terminales soldables de estaño mate recocido, según el estándar MIL-STD-202. Está diseñado para minimizar la resistencia en estado activado (RDS) y, al mismo tiempo, mantener un rendimiento de conmutación superior, lo que lo hace ideal para aplicaciones de gestión de energía de alta eficiencia.
- Baja resistencia en estado conductor (ON)
- Baja tensión umbral de puerta
- Baja capacitancia de entrada
- Velocidad de conmutación rápida
- Baja fuga de entrada/salida
- Dispositivo ecológico sin halógenos
- Sensibilidad a humedad de nivel 1 según J-STD-020
- Grado de inflamabilidad UL94V-0
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
130mA
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Tensión de Prueba Rds(on)
5V
Disipación de Potencia
300mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
50V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
10ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
800mV
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para BSS84-7-F
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000008
Trazabilidad del producto