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FabricanteYAGEO XSEMI
Referencia del fabricanteXP2P052N
Código Farnell4168915
Rango de ProductoXP2P052 Series
Hoja de datos técnicos
2990 Productos en Stock
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
5+ | 0,445 € |
10+ | 0,272 € |
100+ | 0,130 € |
500+ | 0,125 € |
1000+ | 0,119 € |
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Información del producto
FabricanteYAGEO XSEMI
Referencia del fabricanteXP2P052N
Código Farnell4168915
Rango de ProductoXP2P052 Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)20V
Corriente de Drenaje Continua Id4A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.052ohm
Encapsulado del TransistorSOT-23S
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)4.5V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1V
Disipación de Potencia1.25W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoXP2P052 Series
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)To Be Advised
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
4A
Encapsulado del Transistor
SOT-23S
Tensión de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
1.25W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
20V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.052ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
XP2P052 Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
To Be Advised
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:To Be Advised
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001