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TSUS5402
Emisor de Infrarrojos, 950 nm, 22 °, T-1 3/4 (5mm), 800 mW/Sr, 800 ns, 800 ns
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FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteTSUS5402
Código Farnell2251454
Rango de ProductoCompute Module 3+ Series
Hoja de datos técnicos
Fuera de producción
Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteTSUS5402
Código Farnell2251454
Rango de ProductoCompute Module 3+ Series
Hoja de datos técnicos
Pico de Longitud de Onda950nm
Encapsulado del DiodoT-1 3/4 (5mm)
Ángulo de Media Intensidad22°
Corriente Directa If(AV)150mA
Intensidad Radiante800mW/Sr
Tensión Directa VF Máx.1.3V
Tiempo de Subida800ns
Tiempo de Caída (tf)800ns
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.85°C
Estándar de Certificación para Automoción-
Gama de ProductoCompute Module 3+ Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (16-Jan-2020)
Alternativas para TSUS5402
Se ha encontrado 1 producto
Resumen del producto
The TSUS5402 is a 950nm Infrared Emitting Diode in GaAs technology moulded in a blue-grey tinted plastic package. It is suitable for use in infrared remote control and free air transmission systems with low forward voltage and small package requirements, emitter in transmissive sensors, emitter in reflective sensors.
- High reliability
- ϕ = ±22° Angle of half intensity
- Low forward voltage
- Suitable for high pulse current operation
- Good spectral matching with Si photodetectors
Especificaciones técnicas
Pico de Longitud de Onda
950nm
Ángulo de Media Intensidad
22°
Intensidad Radiante
800mW/Sr
Tiempo de Subida
800ns
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Estándar de Certificación para Automoción
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Encapsulado del Diodo
T-1 3/4 (5mm)
Corriente Directa If(AV)
150mA
Tensión Directa VF Máx.
1.3V
Tiempo de Caída (tf)
800ns
Temperatura de Funcionamiento Máx.
85°C
Gama de Producto
Compute Module 3+ Series
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (16-Jan-2020)
Documentos técnicos (2)
Productos asociados
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (16-Jan-2020)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00035
Trazabilidad del producto