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SUD50P08-25L-E3
MOSFET de Potencia, Canal P, 80 V, 50 A, 0.021 ohm, TO-252 (DPAK), Montaje Superficial
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|---|---|
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| 10+ | 2,020 € |
| 100+ | 1,610 € |
| 500+ | 1,340 € |
| 1000+ | 1,150 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSUD50P08-25L-E3
Código Farnell2646408
Rango de ProductoTrenchFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)80V
Corriente de Drenaje Continua Id50A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.021ohm
Encapsulado del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3V
Disipación de Potencia136W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoTrenchFET
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
50A
Encapsulado del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
136W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
80V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.021ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
TrenchFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000426
Trazabilidad del producto