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FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSUD50N04-8M8P-4GE3
Código Farnell1794799
Hoja de datos técnicos
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 1,130 € |
10+ | 0,981 € |
100+ | 0,594 € |
500+ | 0,565 € |
1000+ | 0,564 € |
5000+ | 0,563 € |
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSUD50N04-8M8P-4GE3
Código Farnell1794799
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)40V
Corriente de Drenaje Continua Id50A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0069ohm
Encapsulado del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1.5V
Disipación de Potencia48.1W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SUD50N04-8M8P-4GE3 es un MOSFET de potencia TrenchFET® de canal N de 40V. Adecuado para inversor de retroiluminación para pantallas LCD, convertidores DC a DC y aplicaciones de convertidor de puente completo.
- Sin halógenos en conformidad con el estándar IEC 61249-2-21
- 100% probado Rg
- 100% probado UIS
- PWM optimizado
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha extendido los plazos de fabricación, por lo que las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
50A
Encapsulado del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
48.1W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
40V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0069ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1.5V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para SUD50N04-8M8P-4GE3
7 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0003