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SUD09P10-195-GE3
MOSFET, P-CH, -100V, -8.8A, 150DEG C
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FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSUD09P10-195-GE3
Código Farnell2918685
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 0,845 € |
| 10+ | 0,698 € |
| 25+ | 0,649 € |
| 50+ | 0,598 € |
| 100+ | 0,549 € |
| 250+ | 0,510 € |
| 500+ | 0,470 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSUD09P10-195-GE3
Código Farnell2918685
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Corriente de Drenaje Continua Id8.8A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.162ohm
Encapsulado del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaje de TransistorSurface Mount
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.5V
Disipación de Potencia32.1W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Corriente de Drenaje Continua Id
8.8A
Encapsulado del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
32.1W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.162ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.5V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
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Peso (kg):.000454