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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 7,920 € |
| 5+ | 7,320 € |
| 10+ | 6,710 € |
| 50+ | 6,110 € |
| 100+ | 5,990 € |
| 250+ | 5,870 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSQW61N65EF-GE3
Código Farnell3605915
Rango de ProductoE
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Corriente de Drenaje Continua Id62A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.045ohm
Encapsulado del TransistorTO-247AD
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia625W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoE
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
62A
Encapsulado del Transistor
TO-247AD
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
625W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.045ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
E
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001
Trazabilidad del producto