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SQS405CENW-T1_GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 12 V, 16 A, 0.0106 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSQS405CENW-T1_GE3
Código Farnell3879363RL
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,428 € |
| 500+ | 0,317 € |
| 1000+ | 0,279 € |
| 5000+ | 0,247 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSQS405CENW-T1_GE3
Código Farnell3879363RL
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Polaridad de TransistorCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)12V
Corriente de Drenaje Continua Id16A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0106ohm
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.0106ohm
Encapsulado del TransistorPowerPAK 1212
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)4.5V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente600mV
Disipación de Potencia Pd39W
Disipación de Potencia39W
Número de Pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoTrenchFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Estándar de Certificación para AutomociónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
12V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0106ohm
Encapsulado del Transistor
PowerPAK 1212
Tensión de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia Pd
39W
Número de Pines
8Pins
Gama de Producto
TrenchFET Series
Estándar de Certificación para Automoción
AEC-Q101
Polaridad de Transistor
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
16A
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.0106ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
600mV
Disipación de Potencia
39W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000363
Trazabilidad del producto