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SQS401EN-T1"BE3
MOSFET, P-CH, 40V, 16A, POWERPAK 1212
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FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSQS401EN-T1"BE3
Código Farnell3729246
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 0,889 € |
| 10+ | 0,710 € |
| 25+ | 0,660 € |
| 50+ | 0,610 € |
| 100+ | 0,560 € |
| 250+ | 0,520 € |
| 500+ | 0,481 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSQS401EN-T1"BE3
Código Farnell3729246
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Tensión Drenador-Fuente (Vds)40V
Corriente de Drenaje Continua Id16A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.02ohm
Encapsulado del TransistorPowerPAK 1212
Montaje de TransistorSurface Mount
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2V
Disipación de Potencia62.5W
Número de Pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoTrenchFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Corriente de Drenaje Continua Id
16A
Encapsulado del Transistor
PowerPAK 1212
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
62.5W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
40V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.02ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2V
Número de Pines
8Pins
Gama de Producto
TrenchFET Series
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000163