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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
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| 10+ | 0,490 € |
| 100+ | 0,432 € |
| 500+ | 0,420 € |
| 1000+ | 0,409 € |
| 5000+ | 0,397 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSQJA82EP-T1_GE3
Código Farnell3470695
Rango de ProductoTrenchFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)80V
Corriente de Drenaje Continua Id60A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor8200µohm
Encapsulado del TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2V
Disipación de Potencia68W
Número de pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoTrenchFET
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
60A
Encapsulado del Transistor
PowerPAK SO
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
68W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
80V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
8200µohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2V
Número de pines
8Pins
Gama de Producto
TrenchFET
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Germany
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Germany
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto