Imprimir página
SQJA02EP-T1_GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 60 A, 4800 µohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
2812 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,140 € |
| 10+ | 0,833 € |
| 100+ | 0,678 € |
| 500+ | 0,658 € |
| 1000+ | 0,607 € |
| 5000+ | 0,533 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
1,14 € (Excl. IVA)
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSQJA02EP-T1_GE3
Código Farnell2708313
Rango de ProductoTrenchFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)60V
Corriente de Drenaje Continua Id60A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor4800µohm
Encapsulado del TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3V
Disipación de Potencia68W
Número de pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoTrenchFET
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
60A
Encapsulado del Transistor
PowerPAK SO
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
68W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
60V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
4800µohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3V
Número de pines
8Pins
Gama de Producto
TrenchFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (1)
Alternativas para SQJA02EP-T1_GE3
5 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Germany
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Germany
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000186
Trazabilidad del producto