SQJ469EP-T1_GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 80 V, 32 A, 0.021 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 1,630 € |
| 500+ | 1,400 € |
| 1000+ | 1,300 € |
Información del producto
Resumen del producto
Los nuevos MOSFETs automotrices AEC-Q101 de Vishay se fabrican mediante un flujo de proceso dedicado para otorgarles robustez. Certificada para una temperatura de unión máxima de 175 °C, la serie SQ con certificación AEC-Q101 de Vishay Siliconix ofrece una baja resistencia en conducción y tecnología TrenchFET® para canal N y P en encapsulados SO sin plomo (Pb) ni halógenos. Las opciones incluyen los encapsulados D2PAK (TO-263) y DPAK (TO-252) tradicionales, así como varios encapsulados PowerPAK® que ahorran espacio en comparación con D2PAK, DPAK y SO-8 al tiempo que proporcionan resistencia en conducción y resistencia térmica similares. La serie SQ también incluye dispositivos en encapsulados ultra compactos como TSOP-6, SOT-23 y SC-89.
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha extendido los plazos de fabricación, por lo que las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Canal P
32A
PowerPAK SO
10V
100W
175°C
AEC-Q101
No SVHC (21-Jan-2025)
80V
0.021ohm
Montaje Superficial
2V
8Pins
TrenchFET
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Alternativas para SQJ469EP-T1_GE3
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Legislación y medioambiente
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
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RoHS
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