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SQD50P03-07_GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 50 A, 0.005 ohm, TO-252AA, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSQD50P03-07_GE3
Código Farnell3929244RL
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 1,570 € |
| 500+ | 1,320 € |
| 1000+ | 1,140 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSQD50P03-07_GE3
Código Farnell3929244RL
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Polaridad de TransistorCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)30V
Corriente de Drenaje Continua Id50A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.005ohm
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.005ohm
Encapsulado del TransistorTO-252AA
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2V
Disipación de Potencia136W
Disipación de Potencia Pd136W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de ProductoTrenchFET Series
CalificaciónAEC-Q101
Estándar de Certificación para AutomociónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
30V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.005ohm
Encapsulado del Transistor
TO-252AA
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
136W
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
TrenchFET Series
Estándar de Certificación para Automoción
AEC-Q101
Polaridad de Transistor
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
50A
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.005ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2V
Disipación de Potencia Pd
136W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001
Trazabilidad del producto