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SISS61DN-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 111.9 A, 0.0029 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSISS61DN-T1-GE3
Código Farnell3050577
Rango de ProductoTrenchFET Gen III
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,170 € |
| 10+ | 0,787 € |
| 100+ | 0,579 € |
| 500+ | 0,439 € |
| 1000+ | 0,379 € |
| 5000+ | 0,345 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSISS61DN-T1-GE3
Código Farnell3050577
Rango de ProductoTrenchFET Gen III
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)20V
Corriente de Drenaje Continua Id111.9A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0029ohm
Encapsulado del TransistorPowerPAK 1212
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)4.5V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente900mV
Disipación de Potencia65.8W
Número de pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoTrenchFET Gen III
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Resumen del producto
Advertencias
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Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
111.9A
Encapsulado del Transistor
PowerPAK 1212
Tensión de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
65.8W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
20V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0029ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
900mV
Número de pines
8Pins
Gama de Producto
TrenchFET Gen III
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0035