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SISS26LDN-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 81.2 A, 0.0034 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSISS26LDN-T1-GE3
Código Farnell3104160RL
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,759 € |
| 500+ | 0,643 € |
| 1000+ | 0,524 € |
| 5000+ | 0,493 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSISS26LDN-T1-GE3
Código Farnell3104160RL
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Polaridad de TransistorCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)60V
Corriente de Drenaje Continua Id81.2A
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.0034ohm
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0034ohm
Encapsulado del TransistorPowerPAK 1212
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.5V
Disipación de Potencia57W
Disipación de Potencia Pd57W
Número de Pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoTrenchFET Gen IV
Calificación-
Estándar de Certificación para Automoción-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Resumen del producto
Advertencias
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Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
60V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.0034ohm
Encapsulado del Transistor
PowerPAK 1212
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
57W
Número de Pines
8Pins
Gama de Producto
TrenchFET Gen IV
Estándar de Certificación para Automoción
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Polaridad de Transistor
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
81.2A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0034ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.5V
Disipación de Potencia Pd
57W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000146
Trazabilidad del producto