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SISHA04DN-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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| 1000+ | 0,341 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSISHA04DN-T1-GE3
Código Farnell3128847RL
Rango de ProductoTrenchFET
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorCanal N
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)30V
Corriente de Drenaje Continua Id40A
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)0.0018ohm
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0018ohm
Encapsulado del TransistorPowerPAK 1212
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.2V
Disipación de Potencia52W
Disipación de Potencia Pd52W
Número de Pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoTrenchFET
Calificación-
Estándar de Certificación para Automoción-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Resumen del producto
Advertencias
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Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
30V
Resistencia en Estado Conductor Rds(on)
0.0018ohm
Encapsulado del Transistor
PowerPAK 1212
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
52W
Número de Pines
8Pins
Gama de Producto
TrenchFET
Estándar de Certificación para Automoción
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
40A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0018ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.2V
Disipación de Potencia Pd
52W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Alternativas para SISHA04DN-T1-GE3
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000109
Trazabilidad del producto