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SIS434DN-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 35 A, 0.0063 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSIS434DN-T1-GE3
Código Farnell1852572RL
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,565 € |
| 500+ | 0,455 € |
| 1000+ | 0,371 € |
| 5000+ | 0,349 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSIS434DN-T1-GE3
Código Farnell1852572RL
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)40V
Corriente de Drenaje Continua Id35A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0063ohm
Encapsulado del TransistorPowerPAK 1212
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.2V
Disipación de Potencia3.8W
Número de Pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SIS434DN-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de modo mejorado con canal N TrenchFET® de 40VDS adecuado para aplicaciones POL.
- 100% probado Rg
- 100% probado UIS
- Sin halógenos
- Rango de temperatura de operación de -55 a 150°C
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha extendido los plazos de fabricación, por lo que las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
35A
Encapsulado del Transistor
PowerPAK 1212
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
3.8W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
40V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0063ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.2V
Número de Pines
8Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000164
Trazabilidad del producto