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SIRA01DP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 60 A, 4900 µohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSIRA01DP-T1-GE3
Código Farnell2846630
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 1,550 € |
| 50+ | 1,100 € |
| 100+ | 0,740 € |
| 500+ | 0,585 € |
| 1500+ | 0,535 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSIRA01DP-T1-GE3
Código Farnell2846630
Rango de ProductoTrenchFET Gen IV
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)30V
Corriente de Drenaje Continua Id60A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor4900µohm
Encapsulado del TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.2V
Disipación de Potencia62.5W
Número de pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoTrenchFET Gen IV
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
60A
Encapsulado del Transistor
PowerPAK SO
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
62.5W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
30V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
4900µohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.2V
Número de pines
8Pins
Gama de Producto
TrenchFET Gen IV
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Alternativas para SIRA01DP-T1-GE3
7 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000074