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SIR873DP-T1-GE3
MOSFET, P-CH, -150V, -37A, POWERPAK SO
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FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSIR873DP-T1-GE3
Código Farnell2913407
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,710 € |
| 25+ | 1,430 € |
| 50+ | 1,300 € |
| 100+ | 1,150 € |
| 250+ | 1,070 € |
| 500+ | 0,977 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSIR873DP-T1-GE3
Código Farnell2913407
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Tensión Drenador-Fuente (Vds)150V
Corriente de Drenaje Continua Id37A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0395ohm
Encapsulado del TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorSurface Mount
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4V
Disipación de Potencia104W
Número de pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Corriente de Drenaje Continua Id
37A
Encapsulado del Transistor
PowerPAK SO
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
104W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
150V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0395ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4V
Número de pines
8Pins
Gama de Producto
TrenchFET Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Pendiente
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001052