Imprimir página
SIR846ADP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 60 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSIR846ADP-T1-GE3
Código Farnell2283691
Hoja de datos técnicos
3304 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 2,350 € |
| 10+ | 1,730 € |
| 100+ | 1,280 € |
| 500+ | 1,060 € |
| 1000+ | 1,020 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
2,35 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSIR846ADP-T1-GE3
Código Farnell2283691
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Corriente de Drenaje Continua Id60A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0078ohm
Encapsulado del TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1.8V
Disipación de Potencia83W
Número de pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SIR846ADP-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de modo mejorado con canal N TrenchFET® de 100VDS adecuado para interruptor de lado primario, convertidor DC-DC aislado y aplicaciones de puente completo.
- 100% probado Rg
- 100% probado UIS
- Sin halógenos
- Rango de temperatura de operación de -55 a 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
60A
Encapsulado del Transistor
PowerPAK SO
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
83W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0078ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1.8V
Número de pines
8Pins
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para SIR846ADP-T1-GE3
4 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00012
Trazabilidad del producto