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SIR422DP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 40 A, 6600 µohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSIR422DP-T1-GE3
Código Farnell1858994
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)40V
Corriente de Drenaje Continua Id40A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor6600µohm
Encapsulado del TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1.2V
Disipación de Potencia5W
Número de pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SIR422DP-T1-GE3 es un MOSFET de potencia TrenchFET® de canal N de 40V. Apto para uso en circuitos convertidores de punto de carga y rectificación síncrona. Estos MOSFETs de canal N para aplicaciones de conmutación ahora están disponibles con resistencias en dado de aproximadamente 1mΩ y con la capacidad de soportar 85A.
- Sin halógenos en conformidad con el estándar IEC 61249-2-21
- 100% probado Rg
- 100% probado UIS
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
40A
Encapsulado del Transistor
PowerPAK SO
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
5W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
40V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
6600µohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1.2V
Número de pines
8Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para SIR422DP-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.002
Trazabilidad del producto