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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 16,630 € |
| 5+ | 16,470 € |
| 10+ | 16,310 € |
| 50+ | 10,800 € |
| 100+ | 10,110 € |
| 250+ | 9,420 € |
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Múltiplo: 1
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSIHG018N60E-GE3
Código Farnell3019085
Rango de ProductoE
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)600V
Corriente de Drenaje Continua Id99A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.021ohm
Encapsulado del TransistorTO-247AC
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5V
Disipación de Potencia524W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoE
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
99A
Encapsulado del Transistor
TO-247AC
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
524W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
600V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.021ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
E
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001
Trazabilidad del producto