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SIA440DJ-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 12 A, 0.021 ohm, PowerPAK SC-70, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,495 € |
| 10+ | 0,309 € |
| 100+ | 0,245 € |
| 500+ | 0,195 € |
| 1000+ | 0,176 € |
| 5000+ | 0,126 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSIA440DJ-T1-GE3
Código Farnell2400370
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)40V
Corriente de Drenaje Continua Id12A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.021ohm
Encapsulado del TransistorPowerPAK SC-70
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente-
Disipación de Potencia19W
Número de Pines6Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
N-channel 40V (D-S) MOSFET for use in portable devices such as tablet PCs and mobile computing, DC/DC converter, boost converter, load switch, power management and LED backlighting.
- TrenchFET® power MOSFET
- 100% Rg and UIS tested
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
12A
Encapsulado del Transistor
PowerPAK SC-70
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
19W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
40V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.021ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
-
Número de Pines
6Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.002