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SI8424CDB-T1-E1
MOSFET de Potencia, Canal N, 8 V, 10 A, 0.02 ohm, MICRO FOOT, Montaje Superficial
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSI8424CDB-T1-E1
Código Farnell2646397RL
Rango de ProductoTrenchFET
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)8V
Corriente de Drenaje Continua Id10A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.02ohm
Encapsulado del TransistorMICRO FOOT
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)4.5V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente800mV
Disipación de Potencia2.7W
Número de pines4Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoTrenchFET
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
10A
Encapsulado del Transistor
MICRO FOOT
Tensión de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
2.7W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
8V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.02ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
800mV
Número de pines
4Pins
Gama de Producto
TrenchFET
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00006