Imprimir página
SI7898DP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 3 A, 0.068 ohm, SOIC, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSI7898DP-T1-GE3
Código Farnell1794797RL
Hoja de datos técnicos
13.880 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 75,000 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 1,350 € |
| 500+ | 1,050 € |
| 1000+ | 0,894 € |
| 5000+ | 0,826 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 100
Múltiplo: 5
140,00 € (Excl. IVA)
Se añadirá un cargo de 5,00 € por los rollos a medida para este producto
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSI7898DP-T1-GE3
Código Farnell1794797RL
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)150V
Corriente de Drenaje Continua Id3A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.068ohm
Encapsulado del TransistorSOIC
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2V
Disipación de Potencia1.9W
Número de Pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SI7898DP-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de modo mejorado con canal N TrenchFET® de 150VDS adecuado para interruptor de lado primario en fuentes DC-DC y aplicaciones de control de motor industrial.
- Nuevo encapsulado PowerPAK® de baja resistencia térmica con tamaño compacto y perfil bajo de 1,07mm
- PWM optimizado
- Conmutación rápida
- 100% probado Rg
- Sin halógenos
- Rango de temperatura de funcionamiento de -55 a 150°C
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha extendido los plazos de fabricación, por lo que las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
3A
Encapsulado del Transistor
SOIC
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
1.9W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
150V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.068ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2V
Número de Pines
8Pins
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000225
Trazabilidad del producto