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SI7617DN-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 35 A, 0.0103 ohm, PowerPAK 1212, Montaje Superficial
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| 10+ | 0,445 € |
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| 500+ | 0,357 € |
| 1000+ | 0,342 € |
| 5000+ | 0,327 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSI7617DN-T1-GE3
Código Farnell2101453
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)30V
Corriente de Drenaje Continua Id35A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0103ohm
Encapsulado del TransistorPowerPAK 1212
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.5V
Disipación de Potencia52W
Número de Pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SI7617DN-T1-GE3 es un MOSFET de potencia TrenchFET® de canal P de -30V. Adecuado para uso en carga de baterías de ordenador portátil y aplicaciones de conmutador de adaptador. Los MOSFET de canal P para aplicaciones de conmutación están disponibles ahora con resistencias en conducción de dado en torno a 1mΩ y con capacidad de soportar 85A.
- Sin halógenos en conformidad con el estándar IEC 61249-2-21
- 100% probado Rg
- 100% probado UIS
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
35A
Encapsulado del Transistor
PowerPAK 1212
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
52W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
30V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0103ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.5V
Número de Pines
8Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Alternativas para SI7617DN-T1-GE3
8 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000226