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SI7454DDP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 100 V, 21 A, 0.027 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSI7454DDP-T1-GE3
Código Farnell2283675
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,510 € |
| 10+ | 1,230 € |
| 100+ | 0,874 € |
| 500+ | 0,635 € |
| 1000+ | 0,560 € |
| 5000+ | 0,523 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSI7454DDP-T1-GE3
Código Farnell2283675
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Corriente de Drenaje Continua Id21A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.027ohm
Encapsulado del TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1.5V
Disipación de Potencia29.7W
Número de Pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The SI7454DDP-T1-GE3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC primary side switch, telecom/server, full/half-bridge DC-to-DC and synchronous rectification applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
21A
Encapsulado del Transistor
PowerPAK SO
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
29.7W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.027ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1.5V
Número de Pines
8Pins
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Alternativas para SI7454DDP-T1-GE3
Se ha encontrado 1 producto
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000272
Trazabilidad del producto