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SI7430DP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 150 V, 26 A, 0.036 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
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| 10+ | 2,360 € |
| 100+ | 1,710 € |
| 500+ | 1,300 € |
| 1000+ | 1,200 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSI7430DP-T1-GE3
Código Farnell1858972
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)150V
Corriente de Drenaje Continua Id26A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.036ohm
Encapsulado del TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente4.5V
Disipación de Potencia5.2W
Número de Pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Resumen del producto
The SI7430DP-T1-GE3 is a 150VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for primary side switch and single-ended power switch applications.
- Extremely low Qgd for reduced dV/dt, Qgd and shoot-through
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
26A
Encapsulado del Transistor
PowerPAK SO
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
5.2W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
150V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.036ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
4.5V
Número de Pines
8Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Alternativas para SI7430DP-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000213
Trazabilidad del producto