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SI7414DN-T1-GE3.
N CHANNEL MOSFET, 60V, 8.7A, POWERPAK 1212
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FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSI7414DN-T1-GE3.
Código Farnell2394469
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSI7414DN-T1-GE3.
Código Farnell2394469
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Tensión Drenador-Fuente (Vds)60V
Corriente de Drenaje Continua Id8.7A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.021ohm
Encapsulado del TransistorPowerPAK 1212
Montaje de TransistorSurface Mount
Tensión de Prueba Rds(on)20V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3V
Disipación de Potencia1.5W
Número de Pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Corriente de Drenaje Continua Id
8.7A
Encapsulado del Transistor
PowerPAK 1212
Tensión de Prueba Rds(on)
20V
Disipación de Potencia
1.5W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
60V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.021ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3V
Número de Pines
8Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000217
Trazabilidad del producto