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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,560 € |
| 10+ | 1,180 € |
| 100+ | 0,880 € |
| 500+ | 0,741 € |
| 1000+ | 0,676 € |
| 5000+ | 0,599 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSI7157DP-T1-GE3
Código Farnell2471947
Rango de ProductoE
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)20V
Corriente de Drenaje Continua Id60A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.00125ohm
Encapsulado del TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1.4V
Disipación de Potencia104W
Número de Pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoE
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The SI7157DP-T1-GE3 is a 20V P-channel TrenchFET® Gen III Power MOSFET for mobile computing.
- 100% Rg Tested
- 100% UIS Tested
- ±12V Gate-source voltage
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha extendido los plazos de fabricación, por lo que las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
60A
Encapsulado del Transistor
PowerPAK SO
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
104W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
20V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.00125ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1.4V
Número de Pines
8Pins
Gama de Producto
E
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Alternativas para SI7157DP-T1-GE3
2 productos encontrados
Productos asociados
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000272
Trazabilidad del producto