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SI7139DP-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 40 A, 0.0074 ohm, PowerPAK SO, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,770 € |
| 10+ | 1,250 € |
| 100+ | 0,861 € |
| 500+ | 0,630 € |
| 1000+ | 0,573 € |
| 5000+ | 0,523 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSI7139DP-T1-GE3
Código Farnell2335355
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)30V
Corriente de Drenaje Continua Id40A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0074ohm
Encapsulado del TransistorPowerPAK SO
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)4.5V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1.2V
Disipación de Potencia48W
Número de Pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SI7139DP-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de modo mejorado con canal P TrenchFET® de 30VDS adecuado para aplicaciones de conmutador de adaptador, conmutador de batería y conmutador de carga.
- 100% probado Rg
- 100% probado UIS
- Sin halógenos
- Rango de temperatura de operación de -55 a 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
40A
Encapsulado del Transistor
PowerPAK SO
Tensión de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
48W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
30V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0074ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1.2V
Número de Pines
8Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Alternativas para SI7139DP-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.002217
Trazabilidad del producto