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SI4840BDY-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 40 V, 19 A, 0.0074 ohm, NSOIC, Montaje Superficial
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| 10+ | 1,250 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSI4840BDY-T1-GE3
Código Farnell2335320
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)40V
Corriente de Drenaje Continua Id19A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0074ohm
Encapsulado del TransistorNSOIC
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1V
Disipación de Potencia6W
Número de Pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SI4840BDY-T1-GE3 es un MOSFET de potencia TrenchFET® de canal N de 40V. Adecuado para uso en rectificación síncrona, convertidor de bus intermedio y circuitos de convertidor de punto de carga. El MOSFET de potencia LITTLE FOOT® de montaje superficial emplea encapsulados de pequeña señal y circuito integrado que se han modificado para proporcionar las capacidades de transferencia térmica exigidas por dispositivos eléctricos.
- Sin halógenos en conformidad con el estándar IEC 61249-2-21
- 100% probado Rg
- 100% probado UIS
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
19A
Encapsulado del Transistor
NSOIC
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
6W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
40V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0074ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1V
Número de Pines
8Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (1)
Alternativas para SI4840BDY-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000236
Trazabilidad del producto