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SI4435DDY-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 30 V, 8.1 A, 0.024 ohm, SOIC, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSI4435DDY-T1-GE3
Código Farnell1858951RL
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSI4435DDY-T1-GE3
Código Farnell1858951RL
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)30V
Corriente de Drenaje Continua Id8.1A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.024ohm
Encapsulado del TransistorSOIC
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3V
Disipación de Potencia2.5W
Número de pines8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SI4435DDY-T1-GE3 es un MOSFET de potencia TrenchFET® de canal P de -30V con proceso avanzado de alta densidad. El MOSFET de potencia LITTLE FOOT® de montaje superficial emplea encapsulados de pequeña señal y circuito integrado que se han modificado para proporcionar las capacidades de transferencia térmica exigidas por dispositivos eléctricos.
- Sin halógenos en conformidad con el estándar IEC 61249-2-21
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
8.1A
Encapsulado del Transistor
SOIC
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
2.5W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
30V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.024ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3V
Número de pines
8Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Alternativas para SI4435DDY-T1-GE3
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000142
Trazabilidad del producto