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SI2333CDS-T1-E3
MOSFET, P CHANNEL, -12V, -7.1A, TO-236-3
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSI2333CDS-T1-E3
Código Farnell2459915
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Tensión Drenador-Fuente (Vds)12V
Corriente de Drenaje Continua Id7.1A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.0285ohm
Encapsulado del TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Tensión de Prueba Rds(on)4.5V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente400mV
Disipación de Potencia2.5W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Corriente de Drenaje Continua Id
7.1A
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Tensión de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
2.5W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
12V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.0285ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
400mV
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000044