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Cantidad | Precio (sin IVA) |
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1+ | 0,700 € |
10+ | 0,487 € |
100+ | 0,375 € |
500+ | 0,290 € |
1000+ | 0,261 € |
5000+ | 0,225 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSI2329DS-T1-GE3
Código Farnell2283643
Rango de ProductoE
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)8V
Corriente de Drenaje Continua Id6A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.025ohm
Encapsulado del TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)4.5V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente350mV
Disipación de Potencia2.5W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoE
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
- 8V, 6A P-channel TrenchFET® power MOSFET in 3 pin TO-236 package
- 100 % Rg tested
- Low on-resistance
- Suitable for load switch and low voltage gate drive
- Also used in battery management in portable equipment
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
6A
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Tensión de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
2.5W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
8V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.025ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
350mV
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
E
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00012