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SI2319CDS-T1-BE3
MOSFET, P-CH, 40V, 4.4A, SOT-23
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FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSI2319CDS-T1-BE3
Código Farnell3703482
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 0,603 € |
| 10+ | 0,468 € |
| 25+ | 0,427 € |
| 50+ | 0,388 € |
| 100+ | 0,349 € |
| 250+ | 0,311 € |
| 500+ | 0,274 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSI2319CDS-T1-BE3
Código Farnell3703482
Rango de ProductoTrenchFET Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalP Channel
Tensión Drenador-Fuente (Vds)40V
Corriente de Drenaje Continua Id4.4A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.064ohm
Encapsulado del TransistorSOT-23
Montaje de TransistorSurface Mount
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.5V
Disipación de Potencia2.5W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoTrenchFET Series
Calificación-
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
P Channel
Corriente de Drenaje Continua Id
4.4A
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
2.5W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
40V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.064ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.5V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
TrenchFET Series
Documentos técnicos (2)
Alternativas para SI2319CDS-T1-BE3
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000042