Imprimir página
SI2302DDS-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 2.6 A, 0.057 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSI2302DDS-T1-GE3
Código Farnell2400359
Hoja de datos técnicos
11.094 Productos en Stock
6000 Ahora puede reservar el stock
.
.
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,389 € |
| 10+ | 0,329 € |
| 100+ | 0,202 € |
| 500+ | 0,184 € |
| 1000+ | 0,162 € |
| 5000+ | 0,115 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 5
Múltiplo: 5
1,94 € (Excl. IVA)
nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSI2302DDS-T1-GE3
Código Farnell2400359
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)20V
Corriente de Drenaje Continua Id2.6A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.057ohm
Encapsulado del TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)4.5V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente-
Disipación de Potencia710mW
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El SI2302DDS-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de modo mejorado de canal N TrenchFET® de 20VDS apto para aplicaciones de conmutación de carga y convertidor DC-DC.
- 100% probado Rg
- Sin halógenos
- Rango de temperatura de operación de -55 a 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
2.6A
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Tensión de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
710mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
20V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.057ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
-
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Alternativas para SI2302DDS-T1-GE3
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000033
Trazabilidad del producto