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SI2302CDS-T1-GE3
MOSFET, N CHANNEL, 20V, 0.045OHM, 2.6A, TO-236, FULL REEL
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FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSI2302CDS-T1-GE3
Código Farnell2524651
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSI2302CDS-T1-GE3
Código Farnell2524651
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Tensión Drenador-Fuente (Vds)20V
Corriente de Drenaje Continua Id2.9A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.045ohm
Encapsulado del TransistorTO-236
Montaje de TransistorSurface Mount
Tensión de Prueba Rds(on)2.5V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente850mV
Disipación de Potencia710mW
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Corriente de Drenaje Continua Id
2.9A
Encapsulado del Transistor
TO-236
Tensión de Prueba Rds(on)
2.5V
Disipación de Potencia
710mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
20V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.045ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
850mV
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):0