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SI2301CDS-T1-GE3
MOSFET de Potencia, Canal P, 20 V, 3.1 A, 0.09 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSI2301CDS-T1-GE3
Código Farnell1779260
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
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| 10+ | 0,342 € |
| 100+ | 0,255 € |
| 500+ | 0,191 € |
| 1000+ | 0,149 € |
| 5000+ | 0,134 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteSI2301CDS-T1-GE3
Código Farnell1779260
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)20V
Corriente de Drenaje Continua Id3.1A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.09ohm
Encapsulado del TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)4.5V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente400mV
Disipación de Potencia1.6W
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Resumen del producto
El SI2301CDS-T1-GE3 es un MOSFET de potencia de canal P TrenchFET® con modo mejorado de 20VDS apto para aplicaciones de interruptor de carga.
- Sin halógenos
- Rango de temperatura de funcionamiento de -55 a 150°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
3.1A
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Tensión de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
1.6W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
20V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.09ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
400mV
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Alternativas para SI2301CDS-T1-GE3
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (07-Nov-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000109