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IRLL110TRPBF
N CHANNEL MOSFET, 100V, 1.5A, SOT-223
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 0,914 € |
| 10+ | 0,865 € |
| 25+ | 0,810 € |
| 50+ | 0,758 € |
| 100+ | 0,709 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricanteIRLL110TRPBF
Código Farnell9537643
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Tensión Drenador-Fuente (Vds)100V
Corriente de Drenaje Continua Id1.5A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.54ohm
Encapsulado del TransistorSOT-223
Montaje de TransistorSurface Mount
Tensión de Prueba Rds(on)5V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2V
Disipación de Potencia27W
Número de Pines4Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Corriente de Drenaje Continua Id
1.5A
Encapsulado del Transistor
SOT-223
Tensión de Prueba Rds(on)
5V
Disipación de Potencia
27W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
100V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.54ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2V
Número de Pines
4Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para IRLL110TRPBF
3 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000591
Trazabilidad del producto