IRFL110TRPBF

El IRFL110TRPBF es un MOSFET de potencia de canal N de tercera generación HEXFET® que proporciona a los diseñadores la mejor combinación de conmutación rápida, diseño robusto de dispositivo y baja resistencia en estado conductor (ON). El encapsulado está diseñado para montaje superficial mediante técnicas de soldadura por fase de vapor, infrarroja o por ola. Este diseño exclusivo de encapsulado permite un montaje automático sencillo como con otros encapsulados SOT o SOIC pero con la ventaja añadida de un rendimiento térmico mejorado gracias a las pestañas de mayor tamaño para disipación de calor. Una disipación de potencia superior a 1,25W es posible en una aplicación de montaje superficial típica.

• Clasificación dv/dt dinámica
• Clasificado para avalancha repetitiva
• Conmutación rápida
• Paralelado fácil
• Requisitos de impulso simple

Advertencias

La demanda de este producto en el mercado ha causado una extensión de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden fluctuar. Producto exento de descuentos.