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2N7002K-T1-E3
N CHANNEL MOSFET, 60V, 0.5A, SOT-23
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| 25+ | 0,260 € |
| 50+ | 0,213 € |
| 100+ | 0,166 € |
| 250+ | 0,135 € |
| 500+ | 0,105 € |
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Información del producto
FabricanteVISHAY
Referencia del fabricante2N7002K-T1-E3
Código Farnell1837251
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalN Channel
Tensión Drenador-Fuente (Vds)60V
Corriente de Drenaje Continua Id500mA
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor7.5ohm
Encapsulado del TransistorTO-236
Montaje de TransistorSurface Mount
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2V
Disipación de Potencia200mW
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Unlimited
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
N Channel
Corriente de Drenaje Continua Id
500mA
Encapsulado del Transistor
TO-236
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
200mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
60V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
7.5ohm
Montaje de Transistor
Surface Mount
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Documentos técnicos (2)
Alternativas para 2N7002K-T1-E3
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Thailand
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Thailand
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
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Peso (kg):.000035
Trazabilidad del producto