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SSM3K16FU(TE85L,F)
MOSFET de Potencia, Canal N, 20 V, 100 mA, 3 ohm, SC-70, Montaje Superficial
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FabricanteTOSHIBA
Referencia del fabricanteSSM3K16FU(TE85L,F)
Código Farnell1714382RL
También conocido comoSSM3K16FU ,SSM3K16FU(TE85L
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 500+ | 0,280 € |
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Información del producto
FabricanteTOSHIBA
Referencia del fabricanteSSM3K16FU(TE85L,F)
Código Farnell1714382RL
También conocido comoSSM3K16FU ,SSM3K16FU(TE85L
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)20V
Corriente de Drenaje Continua Id100mA
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor3ohm
Encapsulado del TransistorSC-70
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)4V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente1.1V
Disipación de Potencia150mW
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Resumen del producto
El SSM3K16FU(TE85L,F) es un MOSFET de silicio de modo optimizado con canal N adecuado para aplicaciones de conmutación de alta velocidad e interruptor analógico.
- Adecuado para montaje de alta densidad gracias al encapsulado compacto
- Baja resistencia en estado conductor (ON)
- Temperatura de operación de 150°C
Advertencias
El uso continuado bajo cargas pesadas puede hacer que disminuya significativamente la fiabilidad de este producto incluso si las condiciones de operación están dentro de los valores nominales máximos absolutos.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
100mA
Encapsulado del Transistor
SC-70
Tensión de Prueba Rds(on)
4V
Disipación de Potencia
150mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
20V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
3ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
1.1V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Japan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Japan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000008